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ニュース

2025.02.05

DDR5採用によるメモリボルテージレギュレーター用25V MLCC ソリューション

▷ メモリ技術の発展により、DDR4からDDR5への転換が進み、主要な電力設計方式が変化しました。DDR5は従来のメモリよりも高い帯域幅と電力効率を提供するために、ボルテージレギュレーター(VR)の位置をメインボード内部に移動させていました。

 

▷ DDR4システムではSMPS(Switching Mode Power Supply)から12Vが供給され、VRで1.1Vに減圧してメモリモジュールに電力を供給します。そのため、必要なMLCCの定格電圧は主に4~6.3Vの範囲でした。しかし、DDR5ではSMPSから出力された12VがそのままメインボードのVRに供給されるため、VR入力端の12Vで使用されるMLCCの定格電圧要求が25Vに高まりました。このような電圧変化は、電力設計だけでなくMLCC仕様変更の主な要因となります。[Figure1]

 

graph_JP.jpg

▷ サムスン電機はこのように変化していく市場の需要に応じ、2012㎜、X6S、22uF、25Vの MLCCを世界初として開発いたしました。本製品は最新メモリシステムで要求されるあらゆるスペックに対応し、高い信頼性を提供いたします。

 

img.jpg 

Samsung

Size (mm)

Capacitance

Rated Voltage

TCC

CL21X226MAYNNW#

2012

22uF

25V

X6S

 


SAMSUNG 25V MLCC Line-up

Samsung

Size (mm)

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Voltage

[Vdc]

TCC

Capacitance

MP

Status

Sample

CL21X226MAYNNW#

2012

25

X6S

22uF

MP

Available

CL31X226KAK6NW#

3213

25

X6S22uF

MP

Available

 

 

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