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Package Substrate

FCCSP

(Flip Chip Chip Scale Package)

AP/BB、Controller用フリップチップ
ボンディング高密度パッケージ基板

半導体にワイヤボンディングによる接合ではなく、バンプを用いて反転させた状態で基板に接続することから、FCCSP(Flip Chip
Chip Scale Package)と言います。主に、モバイルIT機器のAP(Application Processor)などの高性能半導体に使われます。また、
金線を使うWBCSPに比べ、電気的信号の移動経路が短く、多くのインプット/アウトプットを形成できるため、高密度半導体に
対応可能です。

主なコア技術

Bumping 構造図

Micro Ball Bump 工法

  • Available for Fine Bump Pitch
  • Good for Small Bump Risk
  • Good Quality for Bump Characteristics

基板の種類

EPS & EDS (Embedded Passive Substrate & Embedded Die Substrate)

EPS/EDSは、半導体の受動素子やICなどを基板内部に内装した基板です。受動素子は通常、Power Supply Voltage Levelの安定化に
使います。ICを基板の内部に内装すると、パッケージのサイズや厚みを削減できます。

ETS (Embedded Trace Substrate)

ETSは、最外殻回路のパターンが絶縁材に埋め込まれた形の回路基板です。基板はCoreless構造で、コストが上がることなく微細回路を
実現できるため、レイヤーダウン設計が容易(4L→3L)になっています。また、エッチング工程がパターンの幅に影響しないため、
回路の幅を精密に制御できます。

FCCSP Lineup

Lineup by Specification
Mass Production Sample Available
Lineup by Specification - Routing Density, Low Z-Height
Routing Density Build-Up Line Width / Space 7 / 8um (Mass Production) 6 / 7um (Sample Available)
BVH / Pad Registration 40 / 67um (Mass Production) 37 / 60um (Sample Available)
SRO Diameter SR Registration 45 ± 10um (Mass Production) 40 ± 10um (Sample Available)
FC Bump Pitch (Peripheral) 40um (Mass Production) 35um (Sample Available)
FC Bump Pitch (Area) 90um (Mass Production) 80um (Sample Available)
Low Z-Height Core / PPG Thickness 40 / 18um (Mass Production) 35 / 15um (Sample Available)
SR Thickness 10 ± 4um (Mass Production) 8 ± 3um (Sample Available)

* umは、㎛を意味します。

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