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Package Substrate

SiP

(System in Package)

システムを実現できるパッケージ基板

パッケージの中に複数のICやPassive Componentが実装されており、複合的な機能を一つのシステムで実現する製品です。また、
PA(Power Amplifier)のような製品に使われ、放熱の特性があります。製品シリーズには、Flip-Chip SiPとCorelessがあります。

小型化

複数のICと受動素子が一つのモジュールに統合され、パッケージを小型化できます。

薄板の具現

超薄板の駆動性を確保することで0.2mmの厚さの基板(6層基準)を具現できます。

主なコア技術

Coreless RF-SiP

Coreless工法により絶縁の厚みを削減し、EMI(Electro Magnetic Interference)及びParasitic Inductanceを制御して信号の特性を向上で
きることから、Thin Substrateを実現可能です。

ENEPIGの表面処理

ENEPIGの表面処理技術は下記のような特性があります。

SiP Lineup

Lineup by Specification
Mass Production Sample Available
Lineup by Specification - Layer Structure, Line Width / Space, Bump Pitch, Surface Finish
Layer Structure Cored 2L / 4L / 6L / 8L / 10L (Mass Production) + 12L / 14L (Sample Available)
Coreless 5L / 6L / 7L / 8L (Mass Production) + 4L / 9L / 10L (Sample Available)
Line Width / Space 12 / 16um (Mass Production) 10 / 15um (Sample Available)
Bump Pitch 130um (Mass Production) 105um (Sample Available)
Surface Finish Direct Au, Thin ENEPIG, Selective ENEPIG (Mass Production) Direct Au, Thin ENEPIG, Selective ENEPIG (Sample Available)

* umは、㎛を意味します。

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